10N60現貨供應商 KIA10N60 PDF下載 10N60參數配置對比-KIA 官網(wǎng)
信息來(lái)源:本站 日期:2018-01-17
N溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計用于高壓、高速功率開(kāi)關(guān)應用,如高效率開(kāi)關(guān)電源,有源功率因數校正電子鎮流器基于半橋拓撲。
2、特征
RD= 0.6@ V GS = 10v
低柵極電荷(典型的44nc)
快速切換的能力
雪崩能量
改進(jìn)的dt/dt能力
漏源反向電壓(vds): 600
柵源反向電壓(vgs):30
漏電流(連續):TC=250C
總功耗:TC=25oC、PD=50 W
結溫:TJ+150oC
貯藏溫度~ STG - 55 + 150oC
封裝形式:TO-220F
3、KIA10N06產(chǎn)品規格
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10N60(9.5A 100V) |
產(chǎn)品編號 | KIA10N60H |
產(chǎn)品工藝 |
10N60 N溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計用于高壓、高速功率開(kāi)關(guān)應用,如高效率開(kāi)關(guān)電源,有源功率因數校正電子鎮流器基于半橋拓撲 |
特征 |
RD= 0.6?@ V GS = 10v 低柵極電荷(典型的44nc) 快速切換的能力 雪崩能量 改進(jìn)的dt/dt能力 |
適用范圍 |
該產(chǎn)品適用于高速開(kāi)關(guān)電源,PWM電機控制,高效率的DC至DC轉換器和橋電路 |
封裝形式 | TO-220F |
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廠(chǎng)家 | KIA 原廠(chǎng)家 |
網(wǎng)址 | m.bontheholidayvillage.com |
PEF總頁(yè)數 | 總5頁(yè) |
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