13N50現貨供應商 KIA13N50 PDF 13N50參數詳細資料-KIA 官網(wǎng)
信息來(lái)源:本站 日期:2018-01-19
產(chǎn)品編號:KIA13N50
漏極至源極電壓(VDSS):500V
柵源電壓(VGSS):±30V
漏極電流 (連續)(lD):13A
耗散功率(PD):195W
工作溫度:±150℃
擊穿電壓溫度:0.5/℃
輸入電容:VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz
上升時(shí)間:VDD=250V,ID=13A,RG=25Ω
RDS(ON)= 0.4Ω@ V GS = 10v
低柵極電荷(典型的45nc)
快速切換的能力
雪崩能量
改進(jìn)的dt/dt能力
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13N50(13A 500V) |
產(chǎn)品編號 | KIA13N50/A/HB/HF/HP/UF/TH |
溝道 | MOSFET N溝道 |
封裝形式 | TO-220、TO220F、TO-263 |
產(chǎn)品工藝 |
13N50 N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專(zhuān)為高電壓,高速功率開(kāi)關(guān)應用,如高效率開(kāi)關(guān)電源,基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正電子鎮流器 |
產(chǎn)品特征 |
RDS(ON)= 0.4Ω@ V GS = 10v 低柵極電荷(典型的45nc) 快速切換的能力 雪崩能量 改進(jìn)的dt/dt能力 |
適用范圍 |
主要適用于高電壓,高速功率開(kāi)關(guān)應用,如高效率開(kāi)關(guān)電源,基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正電子鎮流器 |
PDF文件 |
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廠(chǎng)家 | KIA 原廠(chǎng)家 |
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網(wǎng)址 | m.bontheholidayvillage.com |
PDF總頁(yè)數 | 總5頁(yè)數 |
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