KIA20N50現貨供應商 KIA20N50 PDF文件 20A500V參數詳細資料-KIA 官網(wǎng)
信息來(lái)源:本站 日期:2018-02-09
KIA20N50特征
RDS(on)=0.21Ω @ VGS=10V
低柵極電荷(典型的70nc)
快速切換的能力
雪崩能量
改進(jìn)的dt/dt能力
KIA20N50參數
產(chǎn)品型號:KIA20N50
工作方式:20A/500V
漏源電壓:500V
柵源電壓:±30V
漏電流連續:13A
脈沖漏極電流:80A
雪崩能量:110mJ
耗散功率:41.5W
熱電阻:62.5℃/W
漏源擊穿電壓:500V
溫度系數:0.5V/℃
柵極閾值電壓:2.0V
輸入電容:2700 PF
輸出電容:400 PF
上升時(shí)間:400 ns
封裝形式:TO-247、TO-220F、TO-3P
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KIA20N50/HF/HH/HM |
產(chǎn)品編號 | KIA20N50(20A 500V) |
FET極性 | N溝道MOSFET |
產(chǎn)品特征 |
RDS(on)=0.21Ω @ VGS=10V 低柵極電荷(典型的70nc) 快速切換的能力 雪崩能量 改進(jìn)的dt/dt能力 |
適用范圍 |
主要適用于為高電壓,高速功率開(kāi)關(guān)應用,如高效率開(kāi)關(guān)電源,有源功率因數校正。 |
封裝形式 | TO-220F、TO-247、TO-3P |
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廠(chǎng)家 | KIA原廠(chǎng)家 |
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