KIA30N03B場(chǎng)效應管具備出色的性能參數,漏源擊穿電壓30V,漏極電流30A,采用先...KIA30N03B場(chǎng)效應管具備出色的性能參數,漏源擊穿電壓30V,漏極電流30A,采用先進(jìn)的高細胞密度溝槽技術(shù),具有超低的柵極電荷,RDS(開(kāi))參數為15m? @ VDS=30V,較...
KIA30N06B場(chǎng)效應管是一款先進(jìn)高密度溝槽技術(shù)的電子元件,漏源擊穿電壓60V,漏極...KIA30N06B場(chǎng)效應管是一款先進(jìn)高密度溝槽技術(shù)的電子元件,漏源擊穿電壓60V,漏極電流25A,具有出色的性能指標,?在VDS為60V時(shí),其RDS(on)僅為25mΩ,表現出超低的...
KIA6035A場(chǎng)效應管的漏源擊穿電壓高達350V,漏極電流可達11A,適用于各種高壓應...KIA6035A場(chǎng)效應管的漏源擊穿電壓高達350V,漏極電流可達11A,適用于各種高壓應用場(chǎng)合,RDS(ON)僅為0.38Ω,在10V的VGS下表現出色、低柵極電荷,僅為15nC,有助于...
KNX4820B場(chǎng)效應管漏源擊穿電壓200V,漏極電流9A,采用了專(zhuān)有新型平面技術(shù),是一...KNX4820B場(chǎng)效應管漏源擊穿電壓200V,漏極電流9A,采用了專(zhuān)有新型平面技術(shù),是一款高性能的器件,RDS(ON),典型=250mΩ@VGS=10V,保證了穩定的工作狀態(tài)、低柵極電...
RDS(ON)=3.2mΩ (typ.) @ VGS=-10V 漏極電流 (ID) :-100A 漏源擊穿電壓 (VD...RDS(ON)=3.2mΩ (typ.) @ VGS=-10V 漏極電流 (ID) :-100A 漏源擊穿電壓 (VDS(ON)) :-40V 柵極電荷(Qg):115 nC 功耗 (PDM) :83W
P30v MOS,KPE4403A參數引腳圖 漏極電流 (ID) :-5.0A 漏源擊穿電壓 (VDS(ON)...P30v MOS,KPE4403A參數引腳圖 漏極電流 (ID) :-5.0A 漏源擊穿電壓 (VDS(ON)) :-30V 柵極電荷(Qg):6.5 nC 功耗 (PDM) :1.5W RDS(on)=40mΩ(typ)@ VGS=1...