9435場(chǎng)效應管漏源擊穿電壓-30V,漏極電流-5.3A,RDS(開(kāi))=50mΩ(典型值)@VG...9435場(chǎng)效應管漏源擊穿電壓-30V,漏極電流-5.3A,RDS(開(kāi))=50mΩ(典型值)@VGS=-10V,超低柵極電荷,出色的Cdv/dt效應下降提升整體性能。9435mos管封裝形式:SOP...
KIA4953場(chǎng)效應管具有出色性能,漏源擊穿電壓-30V,漏極電流-5.3A,表現出優(yōu)異的...KIA4953場(chǎng)效應管具有出色性能,漏源擊穿電壓-30V,漏極電流-5.3A,表現出優(yōu)異的電氣特性;當Vgs為-10V時(shí),其RDS(on)為54mΩ,而當Vgs為-4.5V時(shí),其RDS(on)為84mΩ...
7306場(chǎng)效應管采用先進(jìn)的高電池密度溝槽技術(shù),漏源擊穿電壓60V,漏極電流22A,R...7306場(chǎng)效應管采用先進(jìn)的高電池密度溝槽技術(shù),漏源擊穿電壓60V,漏極電流22A,RDS(ON)= 5.5mΩ(典型值)@VGS =10V,表現出卓越的導通能力,超低柵極電荷,在工作...
KIA6706A場(chǎng)效應管漏源擊穿電壓60V,漏極電流18A,額定RDSON為7.5mΩ(在VGS=10...KIA6706A場(chǎng)效應管漏源擊穿電壓60V,漏極電流18A,額定RDSON為7.5mΩ(在VGS=10V時(shí)),表現穩定可靠,具有超低的門(mén)電荷,在工作時(shí)能夠更加高效,還具有Cdv/dt效應下...
KIA4706A場(chǎng)效應管采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù),性能出色,漏源擊穿電壓60V,...KIA4706A場(chǎng)效應管采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù),性能出色,漏源擊穿電壓60V,漏極電流8A,具有RDS(開(kāi))僅為10mΩ(在VGS=10V時(shí)的典型值),在應用中表現出超低的...
9926mos管,9926場(chǎng)效應管參數 漏源電壓:20V 漏極電流:6A 漏源通態(tài)電阻(RDS...9926mos管,9926場(chǎng)效應管參數 漏源電壓:20V 漏極電流:6A 漏源通態(tài)電阻(RDS(on)):0.030Ω 總功耗:2.0W