1.晶圓制備 硅是地殼內第二豐富的元素,而脫氧后的沙子(尤其是石英)最多包含...1.晶圓制備 硅是地殼內第二豐富的元素,而脫氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25%的硅元素,以二氧化硅(SiO?)的形式存在,這也是半導體制造產(chǎn)業(yè)的基礎。
導通條件:Vgs>Vth,R1、R2的作用是為了給G、S之間創(chuàng )造一個(gè)Vgs電壓,不需要去...導通條件:Vgs>Vth,R1、R2的作用是為了給G、S之間創(chuàng )造一個(gè)Vgs電壓,不需要去關(guān)心G、D之間的電壓關(guān)系(只要沒(méi)有達到擊穿電壓)。另外S極不一定需要接地,只需要滿(mǎn)...
當柵極(G)接高電平時(shí),源極(S)和漏極(D)之間的導電通道被打開(kāi),電流可以...當柵極(G)接高電平時(shí),源極(S)和漏極(D)之間的導電通道被打開(kāi),電流可以通過(guò);當柵極接低電平時(shí),導電通道被關(guān)閉,電流無(wú)法通過(guò)。因此,通過(guò)控制柵極的電平...
當電池極性未接反時(shí),D正偏導通,Q的GS極由電池正極經(jīng)過(guò)F、R1、D回到電池負極得...當電池極性未接反時(shí),D正偏導通,Q的GS極由電池正極經(jīng)過(guò)F、R1、D回到電池負極得到正偏而導通。Q導通后的壓降比D的壓降小得多,所以Q導通后會(huì )使D得不到足夠的正向電...
R5為全橋高壓逆變MOS管源極的高壓電流取樣電阻,可以這么理解,高壓電流的大小...R5為全橋高壓逆變MOS管源極的高壓電流取樣電阻,可以這么理解,高壓電流的大小基本上決定了輸出功率的大小,所以用R5檢測高壓電流的大小。圖中LM339的兩個(gè)比較器單...