電路的工作是基于在交流電路中,電容存在容抗XC也有”鎮流作用”的原理。另外電...電路的工作是基于在交流電路中,電容存在容抗XC也有”鎮流作用”的原理。另外電容消耗無(wú)功功率,不發(fā)熱;而電阻則消耗有功功率,會(huì )轉化為熱能耗散掉,所以鎮流電容...
(1)反激式:適當增大一次繞組的電感量,適當增大一次側電感量可以提高效率,因...(1)反激式:適當增大一次繞組的電感量,適當增大一次側電感量可以提高效率,因為增加一次側電感量,能提高效率,減小有效值,正激式的可以適當增大電感的電感量。...
當MOS晶體管的溝道長(cháng)度小到可以和漏結及源結的耗盡層厚度相比擬時(shí),會(huì )出現一些...當MOS晶體管的溝道長(cháng)度小到可以和漏結及源結的耗盡層厚度相比擬時(shí),會(huì )出現一些不同于長(cháng)溝道MOS管特性的現象,統稱(chēng)為短溝道效應,它們歸因于在溝道區出現二維的電勢...
當漏源電壓(Vds)增大,導致實(shí)際的反型層溝道長(cháng)度逐漸減小,這一現象被稱(chēng)為溝...當漏源電壓(Vds)增大,導致實(shí)際的反型層溝道長(cháng)度逐漸減小,這一現象被稱(chēng)為溝道長(cháng)度調制效應。具體來(lái)說(shuō),當MOS晶體管中的柵下溝道預夾斷后,若繼續增大Vds,夾斷...
利用TL494組成的400W大功率穩壓逆變器電路。它激式變換部分采用TL494,VT1、VT...利用TL494組成的400W大功率穩壓逆變器電路。它激式變換部分采用TL494,VT1、VT2、VD3、VD4構成灌電流驅動(dòng)電路,驅動(dòng)兩路各兩只60V/30A的MOSFET開(kāi)關(guān)管。如需提高輸...