在某些應用中,如電池充電電路中, B點(diǎn)是充電器接口, C點(diǎn)是電池接口,為了防止充...在某些應用中,如電池充電電路中, B點(diǎn)是充電器接口, C點(diǎn)是電池接口,為了防止充電器拔掉時(shí),電池電壓出現在充電接口。 (Q1、Q2、Q3共同組成防倒灌電路)注意Q3的DS反...
主要保護GS極,限制Vgs間的最大電壓。 (其一)保護DS極,其二)起到回流二極管作...主要保護GS極,限制Vgs間的最大電壓。 (其一)保護DS極,其二)起到回流二極管作用,其三)為過(guò)電流或電感提供反向通路,其四)防止d、s極反向連接,其五)隔離。
1、左邊電路負載是接在S極對地,如果R1很小且Q1-G極一直為High,那么流過(guò)Q1的電...1、左邊電路負載是接在S極對地,如果R1很小且Q1-G極一直為High,那么流過(guò)Q1的電流可能將會(huì )非常大,MOS管容易燒;
20A 500V場(chǎng)效應管 KNX7150A-產(chǎn)品特征 1、專(zhuān)有新平面技術(shù) 2、RDS(ON),typ.=0....20A 500V場(chǎng)效應管 KNX7150A-產(chǎn)品特征 1、專(zhuān)有新平面技術(shù) 2、RDS(ON),typ.=0.24Ω@VGS =10V 3、低柵極電荷最小化開(kāi)關(guān)損耗 4、快恢復體二極管
從輸出特性曲線(xiàn)可以看出,只要Vgs大于截止電壓4.5V,DS就可以導通了。測試時(shí)直...從輸出特性曲線(xiàn)可以看出,只要Vgs大于截止電壓4.5V,DS就可以導通了。測試時(shí)直接使Vgs=+12V,Vds=+48V,負載電流最大可達到50A。為了方便單片機控制Vgs,可加一個(gè)...
自舉電路 作用:在高端和低端MOS管中提到過(guò),由于負載(電機)相對于高端和低...自舉電路 作用:在高端和低端MOS管中提到過(guò),由于負載(電機)相對于高端和低端的位置不同,而MOS的開(kāi)啟條件為Vgs>Vth,這便會(huì )導致想要高端MOS導通,則其柵極對地...