光耦驅動(dòng)mos管電路詳解-光耦對mos驅動(dòng)電流計算三種方式-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2018-06-11
在光耦驅動(dòng)的電路中,針對MOS管的驅動(dòng)電流是需要特別進(jìn)行估算的.—般常用的估算方式,將對光耦mos管估算方式進(jìn)行介紹.并對每種估算方式進(jìn)行講解
可以使用如下公式估算:
Ig=Qg/Ton
其中:
Ton=t3-t0≈td(on)+tr
td(on):MOS導通延遲時(shí)間,從有駛入電壓上升到10%開(kāi)始到VDS下降到其幅值90%的時(shí)間。
Tr:上升時(shí)間。輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時(shí)間
Qg=(CEI)(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod (可在datasheet中找到)
密勒效應時(shí)間(開(kāi)關(guān)時(shí)間)Ton/off=Qgd/Ig;
Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg;
Ig:MOS柵極驅動(dòng)電流;Vb:穩態(tài)柵極驅動(dòng)電壓;
以一個(gè)實(shí)際MOS管為例,看DATASHEET里有條Total Gate Charge曲線(xiàn)。該曲線(xiàn)先上升然后幾乎水平再上升。水平那段是管子開(kāi)通(密勒效應)假定你希望在0.2us內使管子開(kāi)通,估計總時(shí)間(先上升然后水平再上升)為0.4us,由Qg=67nC和0.4us可得:67nC/0.4us=0.1675A,當然,這是峰值,僅在管子開(kāi)通和關(guān)短的各0.2us里有電流,其他時(shí)間幾乎沒(méi)有電流,平均值很小,但如果驅動(dòng)芯片不能輸出這個(gè)峰值,管子的開(kāi)通就會(huì )變慢。
這3種目前較為常見(jiàn)的對于光耦應用中MOS管進(jìn)行估算的方法。每種方法都有其自身的特點(diǎn),根據不同的情況,設計者可以根據公式或曲線(xiàn)模式來(lái)對MOS管的取值進(jìn)行估算。
Form A=常開(kāi)觸點(diǎn)
Form B=常閉觸點(diǎn)
Form C=轉換觸點(diǎn)
Form E=雙穩態(tài)開(kāi)關(guān)
AT=安培匝數用于描述磁場(chǎng)靈敏度的參數
NC是常閉觸點(diǎn)(正常閉合)
NO是常開(kāi)觸點(diǎn)(常開(kāi))
無(wú)觸點(diǎn),因此沒(méi)有觸點(diǎn)的磨損,使用壽命是無(wú)限的;
無(wú)震動(dòng)和彈跳;防震,抗摔性;
無(wú)動(dòng)作聲音;
小體積(有直插和貼片兩種封裝),高信賴(lài)性;
AC/DC兼用;
高速切換;
低放電電壓;
低動(dòng)作電流(省電流);
低開(kāi)路時(shí)的漏電電流;
輸入與輸出間完全絕緣;
可控制各種負載(繼電器、電燈、發(fā)光二極管、加熱器、馬達、電磁吸筒等)。
光耦繼電器是沒(méi)有壽命的,發(fā)光二極管導通截止,接收二極管導通截止,不會(huì )因為老化而壞掉。因此光耦繼電器適用于反復需要開(kāi)關(guān)的領(lǐng)域。
光耦繼電器還有一個(gè)優(yōu)點(diǎn)就是沒(méi)響聲,不會(huì )咔嚓咔嚓響
繼電器觸點(diǎn)類(lèi)型有:1常開(kāi)、1常閉、1開(kāi)1閉、2常開(kāi)、2常閉…..
總之很多很多,按需求選擇。
其實(shí)光耦繼電器按輸出結構也可以分為MOS(場(chǎng)效應管)輸出或SCR(可控硅整流管)輸出。
MOS輸出的負載電流比較小(通常幾百mA),而如果是SCR輸出的負載電流比較大(能達到幾mA)
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