快恢復二極管模塊-快恢復二極管模塊的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)分析-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2018-03-06
肖特基二極管是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極管,簡(jiǎn)稱(chēng)肖特基二極管(Schottky Barrier Diode),具有正向壓降低(0.4--0.5V)、反向恢復時(shí)間很短(10-40納秒),而且反向漏電流較大,耐壓低,一般低于150V,多用于低電壓場(chǎng)合。這兩種管子通常用于開(kāi)關(guān)電源。
肖特基二極管和快恢復二極管區別:前者的恢復時(shí)間比后者小一百倍左右,前者的反向恢復時(shí)間大約為幾納秒。
前者的優(yōu)點(diǎn)還有低功耗,大電流,超高速!電氣特性當然都是二極管。
快恢復二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開(kāi)關(guān)速度,同時(shí)也能得到較高的耐壓.目前快恢復二極管主要應用在逆變電源中做整流元件。
肖特基二極管:反向耐壓值較低40V-50V,通態(tài)壓降0.3-0.6V,小于10nS的反向恢復時(shí)間。它是具有肖特基特性的“金屬半導體結”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外,還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵,多為N型半導體。這種器件是由多數載流子導電的,所以,其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。由于肖特基二極管中少數載流子的存貯效應甚微,所以其頻率響僅為RC時(shí)間常數限制,因而,它是高頻和快速開(kāi)關(guān)的理想器件。其工作頻率可達100GHz。并且,MIS(金屬-絕緣體-半導體)肖特基二極管可以用來(lái)制作太陽(yáng)能電池或發(fā)光二極管。
快恢復二極管:有0.8-1.1V的正向導通壓降,35-85nS的反向恢復時(shí)間,在導通和截止之間迅速轉換,提高了器件的使用頻率并改善了波形。快恢復二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴散等工藝,可獲得較高的開(kāi)關(guān)速度,同時(shí)也能得到較高的耐壓.目前快恢復二極管主要應用在逆變電源中做整流元件。
通常,5~20A的快恢復二極管采用TO-220FP塑料封裝,20A以上的大功率快恢復二極管采用頂部帶金屬散熱片的TO-3P塑料封裝,5A一下的快恢復二極管則采用DO-41,DO-15,或D0-27等規格塑料封裝。
傳統的快速整流二極管使用摻金或鉑的外延片以控制載流子壽命,但這些二極管表現出了以下的技術(shù)缺點(diǎn):
1.正向電壓降Vf隨著(zhù)溫度的升高而降低;
2.高溫下漏電流大;
3.高溫下快速di/dt時(shí)開(kāi)關(guān)不穩定。
有一種二極管稱(chēng)為SONIC二極管,其反向恢復時(shí)間比較長(cháng),約0.2~0.4μs,軟度因子在0.7左右。在制造中除了采用平面結終止結構,玻璃鈍化并有硅橡膠保護外,還采用了從硅片背面進(jìn)行深擴散磷和控制軸向壽命抑制因素,使快速二極管的反向恢復電流衰減較慢,具有反向“軟恢復”特性,防止在高頻應用時(shí)在硬關(guān)斷過(guò)程中產(chǎn)生過(guò)高的反向尖峰電壓,保護了開(kāi)關(guān)器件及其二極管自身。該二極管在整個(gè)工作溫度范圍內性能穩定,并且對于溫度的變化正向電壓降的變化可以忽略不計。該二極管是為高頻應用設計的,在高頻應用時(shí)穩定可靠。
新的快速軟恢復二極管-SONIC二極管系列克服了這些缺點(diǎn),它們的優(yōu)點(diǎn)為:
1.并聯(lián)二極管工作時(shí)正向電壓降Vf與溫度無(wú)關(guān);
2.阻斷電壓穩定,漏電流比摻金和鉑的小;
3.快速軟恢復二極管在高溫下反向漏電流從 25℃到125℃比摻鉑FRED少50%。
SONIC二極管采用磷深擴散和軸向壽命抑制因素,電壓從600V至1800V,如圖1所示。在硼中受控的軸向壽命抑制因素用來(lái)控制區域1中空穴的發(fā)射效率。區域2所示的軟N區為軟恢復提供了額外電荷。空穴的較低的發(fā)射效率使得器件的正向電壓降對溫度不太敏感,這有利于二極管并聯(lián)工作,并且在高溫時(shí)開(kāi)關(guān)損耗最小。利用電子輻照作為附加的標準壽命抑制因素,二極管的軟度可以得到進(jìn)一步控制。
圖1 SONIC軟恢復二極管的壽命控制
該二極管恢復波形異常的平滑沒(méi)有振蕩,所以電磁干擾EMI值非常低。這種軟恢復二極管不僅導致開(kāi)關(guān)損失減少,而且允許去除二極管的并聯(lián)RC緩沖器。采用軸向壽命抑制因素可以得到最佳性能的二極管。
電力電子學(xué)中的功率開(kāi)關(guān)器件(IGBT、MOSFET、BJT、GTO)總是和快速二極管相并聯(lián),在增加開(kāi)關(guān)頻率時(shí),除傳導損耗以外,功率開(kāi)關(guān)的固有的功能和效率均由二極管的反向恢復特性決定。所以對二極管要求正向瞬態(tài)壓降小,反向恢復時(shí)間斷,反向恢復電荷少,并且具有軟恢復特性。
反向峰值電流IRM是另一個(gè)非常重要的特性。反向電流衰變的斜率dirr/dt由芯片的工藝技術(shù)和擴散參數決定。在電路中,這個(gè)電流斜率與寄生電感有關(guān),例如連接引線(xiàn),引起過(guò)電壓尖峰和高頻干擾電壓。dirr/dt越高(“硬恢復”特性),二極管和并聯(lián)的開(kāi)關(guān)上產(chǎn)生的附加電壓越高。反向電流的緩慢衰減(“軟恢復”特性)是令人滿(mǎn)意的特性。
所有的FRED二極管都采用了“軟恢復”特性,SONIC二極管的恢復特性更“軟”,它們的阻斷電壓范圍寬,使這些快速軟恢復二極管能夠作為開(kāi)關(guān)電源(SMPS)的輸出整流器,以及逆變器和焊接電源中的功率開(kāi)關(guān)的保護二極管和續流二極管。
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