10N65現貨供應商 KIA10N65 65A/600V KIA10N65 PDF文件-KIA 官網(wǎng)
信息來(lái)源:本站 日期:2018-02-01
KIA10N65 N溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計用于高壓、高速功率開(kāi)關(guān)應用,如高效率開(kāi)關(guān)電源用品,有源功率因數校正電子鎮流器基于半橋拓撲。
KIA10N65特征
RDS(on) =0.65? @ V GS =10V
低柵極電荷(典型的48nc)
快速切換的能力
雪崩能量
改進(jìn)的dt/dt能力
產(chǎn)品型號:KIA10N65
工作方式:10A/650V
漏源電壓:650V
柵源電壓:±30V
漏電流連續:10A
脈沖漏極電流:40A
雪崩能量:709mJ
耗散功率:52W
熱電阻:62.5℃/W
漏源擊穿電壓:650V
溫度系數:0.7V/℃
柵極閾值電壓:2.0V
輸入電容:1650 PF
輸出電容:1665 PF
上升時(shí)間:70 ns
封裝形式:TO-220F
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KIA10N65(10A 650V) |
產(chǎn)品編號 | KIA10N65/HF/HP |
FET極性 | N溝道MOSFET |
產(chǎn)品工藝 |
KIA10N65 N溝道增強型硅柵功率MOSFET的設計用于高壓、高速功率開(kāi)關(guān)應用,如高效率開(kāi)關(guān)電源用品,有源功率因數校正電子鎮流器基于半橋拓撲。 |
產(chǎn)品特征 |
RDS(on) =0.65? @ V GS =10V 低柵極電荷(典型的48nc) 快速切換的能力 雪崩能量 改進(jìn)的dt/dt能力 |
適用范圍 |
適用于高壓、高速功率開(kāi)關(guān)應用,如高效率開(kāi)關(guān)電源用品,有源功率因數校正電子鎮流器基于半橋拓撲。 |
封裝形式 | TO-220F |
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廠(chǎng)家 | KIA原廠(chǎng)家 |
網(wǎng)址 | m.bontheholidayvillage.com |
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