9N90現貨供應商 KIA9N90 PDF文件9N90 9A/900 參數資料-KIA 官網(wǎng)
信息來(lái)源:本站 日期:2018-01-28
N溝道增強型功率場(chǎng)效應晶體管是使用半導體專(zhuān)有的,平面條形DMOS技術(shù),這種先進(jìn)的技術(shù)已特別量身定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能,并承受高雪崩和換相模式下的能量脈沖。這些設備非常適合高效率。開(kāi)關(guān)電源,有源功率因數校正,半橋式電子鎮流器拓撲。
特點(diǎn)
9a,900V,RDS= 1.12Ω@ VGS=10 V
低柵電荷(典型的70數控)
Low Crss(典型的14pf)
快速切換
100%雪崩測試
改進(jìn)的dt/dt能力
符合RoHS
產(chǎn)品型號:KIA9N90
工作方式:9A/900V
漏源電壓:900V
柵源電壓:±30V
漏電流連續:9.0A
脈沖漏極電流:36A
雪崩能量:900mJ
耗散功率:280W
熱電阻:40℃/W
漏源擊穿電壓:900V
柵極閾值電壓:3.0V
輸入電容:2780 PF
輸出電容:228 PF
上升時(shí)間:130 ns
封裝形式:TO-3P、TO-247
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KIA9N90(9A/900V) |
產(chǎn)品編號 | KIA9N90/HF/Hm/SF |
FET極性 | N溝道MOSFET |
產(chǎn)品工藝 |
N溝道增強型功率場(chǎng)效應晶體管是使用半導體專(zhuān)有的,平面條形DMOS技術(shù),這種先進(jìn)的技術(shù)已特別量身定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能,并承受高雪崩和換相模式下的能量脈沖。 |
產(chǎn)品特性 |
9a,900V,RDS= 1.12Ω@ VGS=10 V 低柵電荷(典型的70數控) Low Crss(典型的14pf) 快速切換 100%雪崩測試 改進(jìn)的dt/dt能力 符合RoHS |
適用范圍 |
主要適用于高效率。開(kāi)關(guān)電源,有源功率因數校正,半橋式電子鎮流器拓撲 |
封裝形式 |
TO-3P、TO-247 |
PDF文件 |
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廠(chǎng)家 | KIA 原廠(chǎng)家 |
網(wǎng)址 | m.bontheholidayvillage.com |
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