6N70原廠(chǎng)供應商 KIA6N70 PDF下載 6N70參數配置對比-KIA 官網(wǎng)
信息來(lái)源:本站 日期:2018-01-26
特征
RDS(ON)典型值= 1.8?@ V GS = 10v
低柵極電荷(典型的16nc)
高耐用性
快速切換
100%雪崩測試
改進(jìn)的dt/dt能力
產(chǎn)品型號:KIA6N70
工作方式:5.8A/700V
漏源電壓:700V
柵源電壓:±30V
漏電流連續:5.8*A
脈沖漏極電流:150mJ
雪崩能量:4.8A
耗散功率:95W
熱電阻:110℃/W
漏源擊穿電壓:700V
溫度系數:0.7V/℃
柵極閾值電壓:2.0V
輸入電容:650 PF
輸出電容:95 PF
上升時(shí)間:40 ns
封裝形式:TO-251、TO-252、TO-220F
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KIA6N70(5.8A 700V) |
產(chǎn)品編號 | KIA6N70/HD/HF/HU/SU |
FET極性 | N溝道MOSFET |
產(chǎn)品工藝 |
功率MOSFET采用起亞的高級平面條形DMOS工藝生產(chǎn)。這先進(jìn)的技術(shù)已特別定制,以盡量減少對國家的阻力,提供優(yōu)越的。開(kāi)關(guān)性能,在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。 |
產(chǎn)品特征 |
RDS(ON)典型值= 1.8?@ V GS = 10v 低柵極電荷(典型的16nc) 高耐用性 快速切換 100%雪崩測試 改進(jìn)的dt/dt能力 |
適用范圍 |
主要適用于高效率開(kāi)關(guān)電源,有源功率因數校正。基于半橋拓撲。 |
封裝形式 | TO-251、TO-252、TO-220F |
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廠(chǎng)家 | KIA原廠(chǎng)家 |
網(wǎng)址 | m.bontheholidayvillage.com |
PDF總頁(yè)數 | 總5頁(yè)數 |
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話(huà):0755-83888366-8022
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QQ:2880195519
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