4N65H現貨供應商 KIA4N65H PDF文件 4N65H參數資料-KIA 官網(wǎng)
信息來(lái)源:本站 日期:2018-01-23
開(kāi)關(guān)性能,在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適用于高效率開(kāi)關(guān)電源,有源功率因數校正、基于半橋拓撲。
特征:
RDS(on) =2.5?@ VGS=10V
低柵極電荷(典型的16nc)
高耐用性
快速切換
100%雪崩測試
改進(jìn)的dt/dt能力
參數:
產(chǎn)品型號:KIA4N65H
極性:N溝道MOSFET
漏源電壓(vdss):650V
柵源電壓(vgss):±30V
連續漏電流:(ld):3.0A
脈沖漏極電流:12A
雪崩電流:210mJ
雪崩能量:5.8mJ
耗散功率(pd):58W
熱電阻:110℃/W
漏源擊穿電壓:650V
溫度系數:0.65V/℃
柵極閾值電壓(min):100nA
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4N65H(4A 650V) |
產(chǎn)品編號 | KIA4N65/H/HD/HF/HU |
FET極性 | N溝道 |
產(chǎn)品工藝 |
功率MOSFET采用先進(jìn)的平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的起亞。這先進(jìn)的技術(shù)已特別定制,以盡量減少對的阻力,提供優(yōu)越的。 |
產(chǎn)品特征 |
RDS(on) =2.5??@ V GS =10V 低柵極電荷(典型的16nc) 高耐用性 快速切換 100%雪崩測試 改進(jìn)的dt/dt能力 |
適用范圍 |
開(kāi)關(guān)性能,在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適用于高效率開(kāi)關(guān)電源,有源功率因數校正、基于半橋拓撲。 |
封裝形式 | TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F |
PDF文件 |
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LOGO |
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廠(chǎng)家 | KIA原廠(chǎng)家 |
網(wǎng)址 | m.bontheholidayvillage.com |
PDF總頁(yè)數 | 總5頁(yè)數 |
聯(lián)系方式:鄒先生
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