4n60mos管供應商 4n60規格書(shū) 4n60 PDF在線(xiàn)預覽-中文資料
信息來(lái)源:本站 日期:2018-01-13
描述
N溝道增強型高壓功率MOS場(chǎng)效應晶體管
KIA4N60該產(chǎn)品具有較低的導通電阻、優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。 該產(chǎn)品可廣泛應用于A(yíng)C-DC開(kāi)關(guān)電源,DC-DC電源轉換器,高壓H橋PWM馬達驅動(dòng)。
特點(diǎn)
4A,600V,RDS(on)(典型值)=2.0 ?@VGS=10V
*低柵極電荷量
*低反向傳輸電容
*開(kāi)關(guān)速度快
*提升了dv/dt 能力
|
4N60/H/HD/HF/HI/HU/P/PD |
描述 | 4.0A 600V N-CHANNEL MOSFET |
PDF文件 | |
LOGO |
|
廠(chǎng)家 | KIA原廠(chǎng)家 |
網(wǎng)址 | m.bontheholidayvillage.com |
PDF頁(yè)數 | 總6頁(yè)數 |
聯(lián)系方式:鄒先生(KIA MOS管)
手機:18123972950
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市福田區車(chē)公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
關(guān)注KIA半導體工程專(zhuān)輯請搜微信號:“KIA半導體”或點(diǎn)擊本文下方圖片掃一掃進(jìn)入官方微信“關(guān)注”
長(cháng)按二維碼識別關(guān)注
描述:
N溝道增強型高壓功率MOS場(chǎng)效應晶體管
KIA4N60該產(chǎn)品具有較低的導通電阻、優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。 該產(chǎn)品可廣泛應用于A(yíng)C-DC開(kāi)關(guān)電源,DC-DC電源轉換器,高壓H橋PWM馬達驅動(dòng)。
特點(diǎn)
4A,600V,RDS(on)(典型值)=2.0 ?@VGS=10V
*低柵極電荷量
*低反向傳輸電容
*開(kāi)關(guān)速度快
*提升了dv/dt 能力
|
4N60/H/HD/HF/HI/HU/P/PD |
描述 | 4.0A 600V N-CHANNEL MOSFET |
PDF文件 | |
LOGO |
|
廠(chǎng)家 | KIA原廠(chǎng)家 |
網(wǎng)址 | m.bontheholidayvillage.com |
PDF頁(yè)數 | 總6頁(yè) |