電源適配器mos管,KNX6140S場(chǎng)效應管參數原廠(chǎng)現貨-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2024-06-18
電源適配器mos管KNX6140S是一款N溝道增強型硅柵極功率MOSFET,漏源擊穿電壓400V,漏極電流11A,RDS(開(kāi)啟)典型值=0.53Ω@VGS=10V,較低的導通電阻,可最大限度地減少導通損耗,具有超低柵極電荷,出色的改進(jìn)的dvdt功能,以及高堅固性、快速切換等特性,100%雪崩測試,確保性能穩定可靠。
KNX6140S專(zhuān)為高壓、高速功率開(kāi)關(guān)應用而設計,如開(kāi)關(guān)穩壓器、開(kāi)關(guān)轉換器、螺線(xiàn)管、電機驅動(dòng)器、繼電器驅動(dòng)器等。封裝形式:TO-220F/TO-220,散熱良好,安裝方便。
漏源電壓:400V
漏極電流:11A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on)):0.53Ω
柵源電壓:±30V
脈沖漏電流:44A
雪崩能量單脈沖:365MJ
總功耗:40.2/194.5W
總柵極電荷:15.7nC
輸入電容:980PF
輸出電容:140PF
開(kāi)通延遲時(shí)間:33.5nS
關(guān)斷延遲時(shí)間:83nS
上升時(shí)間:31.5ns
下降時(shí)間:56ns
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