MOS管損毀原因大總結 看得明明白白-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2020-03-03
本文主要講MOS管損毀原因,會(huì )從4個(gè)方面來(lái)講。希望對大家有所幫助。MOS管,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
1、MOS管損毀原因-在電源電壓方面
1)、過(guò)流-------持續大電流或瞬間超大電流引起的結溫過(guò)高而燒毀;
2)、過(guò)壓-------源漏過(guò)壓擊穿、源柵極過(guò)壓擊穿;
3)、靜電-------靜電擊穿。CMOS電路都怕靜電;
2、MOS管損毀原因-在MOS管電源電壓方面
1)、漏源電壓過(guò)大,MOS管燒壞?,F象:MOS管D、S兩端短路;
2)、漏源電流過(guò)大,MOS管燒壞?,F象:MOS管D、S兩端短路;
3)、柵源電壓過(guò)大,MOS管燒壞?,F象:MOS管G、D、S短路;
3、MOS管損毀原因-其他方面
1)、堵轉會(huì )使電機感應電動(dòng)勢升高,使電機電流大增過(guò)流保護太遲鈍;
2)、同時(shí)導通;
3)、功率過(guò)大;
4)、散熱不足;
5)、頻率太高;
6)、MOS管內阻未充分考慮,導致開(kāi)關(guān)阻抗增大;
4、MOS管損毀原因-會(huì )對MOS管造成的影響
1)、MOS管吸附灰塵,改變線(xiàn)路間的阻抗,影響MOS管的功能和壽命。
2)、因電場(chǎng)或電流破壞元件絕緣層和導體,使MOS管不能工作(完全破壞)。
3)、因瞬間的電場(chǎng)軟擊穿或電流產(chǎn)生過(guò)熱,使MOS管受傷,雖仍能工作,但是壽命受損。
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