VMOS概述-VMOS場(chǎng)效應管的檢測方法及注意事項解析-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2019-11-07
VMOS場(chǎng)效應管的檢測方法解析。VMOS管全稱(chēng)V-groove metal-oxide semiconductor,或功率場(chǎng)效應管,其全稱(chēng)為V型槽MOS場(chǎng)效應管。
它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的。它不僅繼承了MOS場(chǎng)效應管輸入阻抗高(≥108W)、驅動(dòng)電流?。ㄗ笥?.1μA左右), 還具有耐壓高(最高可耐壓1200V)、工作電流大(1.5A~100A)、輸出功率高(1~250W)、跨導的線(xiàn)性好、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)良特性。
眾所周知,傳統的MOS場(chǎng)效應管的柵極、源極和漏極大致處于同一水平面的芯片上,其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng)。VMOS管則不同,其兩大結構特點(diǎn):
第一,金屬柵極采用V型槽結構;
第二,具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平流動(dòng),而是自重摻雜N+ 區(源極S)出發(fā),經(jīng)過(guò)P溝道流入輕摻雜N-漂移區,最后垂直向下到達漏極D。
VMOS場(chǎng)效應管的檢測方法步驟如下:
(1)判定柵極G
將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別測量三個(gè)管腳之間的電阻。若發(fā)現某腳與其它兩腳的電阻均呈無(wú)窮大,并且交換表筆后仍為無(wú)窮大,則證明此腳為G極,因為它和另外兩個(gè)管腳是絕緣的。
(2)判定源極S、漏極D
在源-漏之間有一個(gè)PN結,因此根據PN結正、反向電阻存在差異,可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,此時(shí)黑表筆的是S極,紅表筆接D極。
(3)測量漏-源通態(tài)電阻RDS(on)
將G-S極短路,選擇萬(wàn)用表的R×1檔,黑表筆接S極,紅表筆接D極,阻值應為幾歐至十幾歐。
由于測試條件不同,測出的RDS(on)值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬(wàn)用表R×1檔實(shí)測一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=3.2W,大于0.58W(典型值)。
(4)檢查跨導
將萬(wàn)用表置于R×1k(或R×100)檔,紅表筆接S極,黑表筆接D極,手持螺絲刀去碰觸柵極,表針應有明顯偏轉,偏轉愈大,管子的跨導愈高。
介紹了VMOS場(chǎng)效應管的檢測方法之后,下面來(lái)看看它的注意事項:
(1)VMOS管亦分N溝道管與P溝道管,但絕大多數產(chǎn)品屬于N溝道管。對于P溝道管,測量時(shí)應交換表筆的位置。
(2)有少數VMOS管在G-S之間并有保護二極管,本檢測方法中的1、2項不再適用。
(3)目前市場(chǎng)上還有一種VMOS管功率模塊,專(zhuān)供交流電機調速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模塊,內部有N溝道、P溝道管各三只,構成三相橋式結構。
(4)現在市售VNF系列(N溝道)產(chǎn)品,是美國Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場(chǎng)效應管,其最高工作頻率fp=120MHz,IDSM=1A,PDM=30W,共源小信號低頻跨導gm=2000μS。適用于高速開(kāi)關(guān)電路和廣播、通信設備中。
(5)使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后。以VNF306為例,該管子加裝140×140×4(mm)的散熱器后,最大功率才能達到30W。
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