mos管規格書(shū)參數詳解-圖文讀懂MOS管規格書(shū)每一個(gè)MOS參數-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2019-04-02
在了解mos管規格書(shū)參數詳解之前,先來(lái)看看mos管的每一個(gè)參數代表什么及說(shuō)明,mos管除了G、S、D引腳和N溝道mos管和P溝道mos管之外還有很多具體的參數,每個(gè)詳細參數如下:
Rds(on)----------DS的導通電阻.當Vgs=10V時(shí),MOS的DS之間的電阻
Id------------------最大DS電流.會(huì )隨溫度的升高而降低
Vgs----------------最大GS電壓.一般為:-40V~+40V
Idm---------------最大脈沖DS電流.會(huì )隨溫度的升高而降低,體現一個(gè)抗沖擊能力,跟脈沖時(shí)間也有關(guān)系
Pd-----------------最大耗散功率
Tj------------------最大工作結溫,通常為150度和175度
Tstg---------------最大存儲溫度
Iar-----------------雪崩電流
Ear---------------重復雪崩擊穿能量
Eas---------------單次脈沖雪崩擊穿能量
BVdss------------DS擊穿電壓
Idss---------------飽和DS電流,uA級的電流
Igss---------------GS驅動(dòng)電流,nA級的電流.
gfs----------------跨導
Qg----------------G總充電電量
Qgs--------------GS充電電量
Qgd-------------GD充電電量
Td(on)---------導通延遲時(shí)間,從有輸入電壓上升到10%開(kāi)始到Vds下降到其幅值90%的時(shí)間
Tr----------------上升時(shí)間,輸出電壓 VDS 從 90% 下降到其幅值 10% 的時(shí)間
Td(off)----------關(guān)斷延遲時(shí)間,輸入電壓下降到 90% 開(kāi)始到 VDS 上升到其關(guān)斷電壓時(shí) 10% 的時(shí)間
Tf-----------------下降時(shí)間,輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 90% 的時(shí)間
Ciss---------------輸入電容,Ciss=Cgd + Cgs.
Coss--------------輸出電容,Coss=Cds +Cgd.
Crss---------------反向傳輸電容,Crss=Cgc.
說(shuō)明:MOS管漏極和源極最大耐壓值。
測試條件:在Vgs=0V,柵極和源極不給電壓。
影響:超過(guò)的話(huà)會(huì )讓MOSFET損壞。
說(shuō)明:ID的漏電流。
測試條件:在Vgs=0V,在漏極和源極兩端給48V的電壓。
影響:漏電流越大功耗越大。
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說(shuō)明:柵極漏電流
測試條件:在Vgs=+-20V,在漏極和源極兩端不給電壓。
說(shuō)明:開(kāi)啟電壓
測試條件:在Vgs=Vds,在漏極和源極兩端電流控制在250uA。
影響:低于參考值可能出現不導通現象,設計時(shí)需要考慮范圍值。
說(shuō)明:完全開(kāi)啟,漏極和源極兩端最大過(guò)電流30A,
測試條件:在Vgs=Vds,在漏極和源極兩端電流控制在250uA。
影響:低于參考值可能出現不導通現象,設計時(shí)需要考慮范圍值。
說(shuō)明:導通時(shí),Vds的內阻
測試條件:在Vgs=10V,通過(guò)12A的電流;Vgs=4.5V,通過(guò)6A的電流,在漏極和源極兩端的內阻。
影響:內阻越小,MOS過(guò)的電流越大,相同電流下,功耗越小。
說(shuō)明:跨導的單位是A/V。是源極電流Id比上柵極電壓Vgs,是柵極電壓對源極電流的控制作用大小,
跨導:
線(xiàn)性壓控電流源的性質(zhì)可表示為方程 I=gV ,其中g(shù)是常數系數。系數g稱(chēng)作跨導(或轉移電導),具有與電導相同的單位。 這個(gè)電路單元通常指放大器。
在MOS管中,跨導的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用。在轉移特性曲線(xiàn)上,跨導為曲線(xiàn)的斜率。
說(shuō)明:MOS管體二極管的正向導通壓降
測試條件:在VGS=0V,體二極管正向通過(guò)1A的電流。
說(shuō)明:體二極管可承受最大連續續電流
測試條件:
影響:如果偏小,在設計降額不充裕的系統中或在測試OCP,OLP(逐周期電流限制保護(OCP),限制最大輸出電流;過(guò)載保護(OLP),限制最大輸出功率;的過(guò)程中會(huì )引起電流擊穿的風(fēng)險
說(shuō)明:
Ciss=Cgs+Cgd 輸入電容
Coss=Cds+Cgd 輸出電容
Crss=Cgd(米勒電容)
影響:Ciss:影響到MOS管的開(kāi)關(guān)時(shí)間,Ciss越大,同樣驅動(dòng)能力下,開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)間就越慢,開(kāi)關(guān)損壞也就越大。較慢的開(kāi)關(guān)速度對應會(huì )帶來(lái)較好的EMI
Coss和Crss:這兩項參數對MOSFET關(guān)斷時(shí)間略有影響,其中Cgd會(huì )影響到漏極有異常高電壓時(shí),傳輸到MOSFET柵極電壓能力的大小,對雷擊測試項目有一點(diǎn)的影響。
說(shuō)明:
Qg:柵極總充電電量
Qgs:柵極充電電量
Qgd:柵極充電電量
tD(on):漏源導通延遲時(shí)間
tr:漏源電路上升時(shí)間
tD(off):漏源關(guān)斷延遲時(shí)間
tf:漏源電路下降時(shí)間
影響:參數與時(shí)間相互關(guān)聯(lián)的參數,開(kāi)關(guān)速度越快對應的優(yōu)點(diǎn)是開(kāi)關(guān)損耗越小,效率高,溫升低,對應的缺點(diǎn)是EMI特性差,MOSFET關(guān)斷尖峰過(guò)高。
1.電路設計的問(wèn)題,就是讓MOS管工作在線(xiàn)性的工作狀態(tài),而不是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。這也是導致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開(kāi)關(guān),G級電壓要比電源高幾V,才能完全導通,P-MOS則相反。沒(méi)有完全打開(kāi)而壓降過(guò)大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著(zhù)發(fā)熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤。
2.頻率太高,主要是有時(shí)過(guò)分追求體積,導致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發(fā)熱也加大了。
3.沒(méi)有做好足夠的散熱設計,電流太高,MOS管標稱(chēng)的電流值,一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于最大電流,也可能發(fā)熱嚴重,需要足夠的輔助散熱片。
4.MOS管的選型有誤,對功率判斷有誤,MOS管內阻沒(méi)有充分考慮,導致開(kāi)關(guān)阻抗增大。
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