60V 80V 低壓MOS管選型表-低壓MOS管原廠(chǎng) 性?xún)r(jià)比高 質(zhì)量好-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2019-03-27
MOS管導通電阻小,可以降低導通時(shí)的功耗。但無(wú)論什么元件器件,追求某項指標必會(huì )影響其它指標。以MOS管來(lái)說(shuō),高耐壓與低電阻是矛盾的,不可兼得,所以不能說(shuō)導通電阻越小越好,因為這是犧牲其它性能獲得的。但是一般mos管額定電流越大,額定導通電阻也就越小。
60V 80V 低壓MOS管選型表如下:
Part Numbe |
ID(A) |
BVDSS(v) |
Typical RDS(ON)@60% ID(Ω) |
MAX RDS(ON)@60% ID(Ω) |
ciss |
pF |
|||||
KIA30N06B |
25 |
60 |
0.025 |
0.03 |
1345 |
KNX8606A |
35 |
60 |
0.012 |
0.02 |
2423 |
KIA50N06B |
50 |
60 |
0.0105 |
0.012 |
2060 |
KIA50N06C |
50 |
60 |
0.009 |
0.012 |
2180 |
KNX3706A |
50 |
60 |
0.009 |
0.012 |
2180 |
KIA3506A |
70 |
60 |
0.0065 |
0.008 |
3483 |
KNX3406A |
80 |
60 |
0.0065 |
0.0085 |
6050 |
KNX3306A |
80 |
60 |
0.007 |
0.0085 |
3390 |
KNX3306B |
80 |
60 |
0.007 |
0.008 |
3080 |
KNX3206A |
110 |
60 |
0.0065 |
0.008 |
3400 |
KIA3205S |
130 |
60 |
0.0055 |
0.007 |
3100 |
KIA2906A |
130 |
60 |
0.0055 |
0.007 |
3100 |
KIA2806A |
160 |
60 |
0.0035 |
0.0045 |
4376 |
KNX1906B |
230 |
60 |
0.0027 |
0.0035 |
6110 |
KNX3508A |
70 |
80 |
0.0095 |
0.011 |
2900 |
KNX3308A |
80 |
80 |
0.0062 |
0.009 |
3110 |
KNX3308B |
80 |
80 |
0.0072 |
0.009 |
3650 |
KIA75NF75 |
80 |
80 |
0.007 |
0.009 |
3110 |
KNX2808A |
150 |
80 |
0.004 |
0.005 |
6109 |
KNX2708A |
160 |
80 |
0.004 |
0.0048 |
9300 |
KNC2208A |
200 |
80 |
0.0035 |
0.004 |
6109 |
KNX3208A |
100 |
85 |
0.0065 |
0.008 |
3420 |
KNX2908A |
130 |
85 |
0.005 |
0.006 |
5000 |
60V 80V 低壓MOS管封裝是與國內一流封裝廠(chǎng)家合作。
1.可應用于放大。由于場(chǎng)效應管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。
2.很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3.可以用作可變電阻。
4.可以方便地用作恒流源。
5.可以用作電子開(kāi)關(guān)。
6.在電路設計上的靈活性大。柵偏壓可正可負可零,三極管只能在正向偏置下工作,電子管只能在負偏壓下工作。另外輸入阻抗高,可以減輕信號源負載,易于跟前級匹配。
mos管的三個(gè)極分別是:G(柵極),D(漏極)s(源及),要求柵極和源及之間電壓大于某一特定值,漏極和源及才能導通。
1.判斷柵極G
MOS驅動(dòng)器主要起波形整形和加強驅動(dòng)的作用:假如MOS管的G信號波形不夠陡峭,在點(diǎn)評切換階段會(huì )造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉換效率,MOS管發(fā)燒嚴峻,易熱損壞MOS管GS間存在一定電容,假如G信號驅動(dòng)能力不夠,將嚴峻影響波形跳變的時(shí)間。
將G-S極短路,選擇萬(wàn)用表的R×1檔,黑表筆接S極,紅表筆接D極,阻值應為幾歐至十幾歐。若發(fā)現某腳與其字兩腳的電阻均呈無(wú)限大,并且交換表筆后仍為無(wú)限大,則證實(shí)此腳為G極,由于它和另外兩個(gè)管腳是絕緣的。
2.判斷源極S、漏極D
將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別丈量三個(gè)管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,此時(shí)黑表筆的是S極,紅表筆接D極。因為測試前提不同,測出的RDS(on)值比手冊中給出的典型值要高一些。
3.丈量漏-源通態(tài)電阻RDS(on)
在源-漏之間有一個(gè)PN結,因此根據PN結正、反向電阻存在差異,可識別S極與D極。例如用500型萬(wàn)用表R×1檔實(shí)測一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=3.2W,大于0.58W(典型值)。
測試步驟:
MOS管的檢測主要是判斷MOS管漏電、短路、斷路、放大。
其步驟如下:
假如有阻值沒(méi)被測MOS管有漏電現象。
1、把連接柵極和源極的電阻移開(kāi),萬(wàn)用表紅黑筆不變,假如移開(kāi)電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無(wú)限大,則MOS管漏電,不變則完好
2、然后一根導線(xiàn)把MOS管的柵極和源極連接起來(lái),假如指針立刻返回無(wú)限大,則MOS完好。
3、把紅筆接到MOS的源極S上,黑筆接到MOS管的漏極上,好的表針指示應該是無(wú)限大。
4、用一只100KΩ-200KΩ的電阻連在柵極和漏極上,然后把紅筆接到MOS的源極S上,黑筆接到MOS管的漏極上,這時(shí)表針指示的值一般是0,這時(shí)是下電荷通過(guò)這個(gè)電阻對MOS管的柵極充電,產(chǎn)生柵極電場(chǎng),因為電場(chǎng)產(chǎn)生導致導電溝道致使漏極和源極導通,故萬(wàn)用表指針偏轉,偏轉的角度大,放電性越好。
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話(huà):0755-83888366-8022
手機:18123972950
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市福田區車(chē)公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助