irf630場(chǎng)效應管參數規格書(shū)-原裝正品場(chǎng)效應管 價(jià)格詳情-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2019-02-21
IR的第五代HEXFET功率場(chǎng)效應管IRF630采用先進(jìn)的工藝技術(shù)制造,具有極低的導通阻抗。IRF630這種特性,加上快速的轉換速率,和以堅固耐用著(zhù)稱(chēng)的HEXFET設計,使得IRF630成為極其高效可靠、應用范圍超廣的器件。
TO-220封裝的IRF630普遍適用于功耗在50W左右的工商業(yè)應用,低熱阻和低成本的TO-220封裝,使IRF630得到業(yè)內的普遍認可。D2Pak封裝的IRF630適用于貼片安裝,比起現有的任何其他貼片封裝,可說(shuō)是功率最高,導通阻抗最低。TO-262是IRF630的通孔安裝版,適合較低端的應用。
先進(jìn)的工藝技術(shù)
貼片安裝(IRF630NS)
低端通孔安裝(IRF630NL)
動(dòng)態(tài)dv/dt率
175℃工作溫度
快速轉換速率
輕松并行
僅需簡(jiǎn)單驅動(dòng)
無(wú)鉛環(huán)保
漏極電流, Id 最大值:9A
電壓, Vds 最大:200V
開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.4ohm
電壓 @ Rds測量:10V
電壓, Vgs 最高:3V
功率, Pd:100W
封裝類(lèi)型, 替代:SOT-78B
引腳節距:2.54mm
時(shí)間, trr 典型值:170ns
晶體管數:1
晶體管類(lèi)型:MOSFET
滿(mǎn)功率溫度:25°C
電容值, Ciss 典型值:540pF
電流, Idm 脈沖:36A
表面安裝器件:通孔安裝
針腳格式:1G 2+插口 D 3S
閾值電壓, Vgs th 最低:2V
閾值電壓, Vgs th 最高:4V
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話(huà):0755-83888366-8022
手機:18123972950
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市福田區車(chē)公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助