場(chǎng)效應管irf3205供應商 技術(shù)參數信息-場(chǎng)效應管irf3205中文資料-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2018-12-18
IR的HEXFET功率場(chǎng)效應管irf3205采用先進(jìn)的工藝技術(shù)制造,具有極低的導通阻抗。
場(chǎng)效應管irf3205這種特性,加上快速的轉換速率,和以堅固耐用著(zhù)稱(chēng)的HEXFET設計,使得場(chǎng)效應管irf3205成為極其高效可靠、應用范圍超廣的器件。
TO-220封裝的IRF3205普遍適用于功耗在50W左右的工商業(yè)應用,低熱阻和低成本的TO-220封裝,使IRF3205得到業(yè)內的普遍認可。D2Pak封裝的IRF3205適用于貼片安裝,比起現有的任何其他貼片封裝,可說(shuō)是功率最高,導通阻抗最低。TO-262是IRF3205的通孔安裝版,適合較低端的應用。
先進(jìn)的工藝技術(shù)
貼片安裝
低端通孔安裝
超低導通阻抗
動(dòng)態(tài)dv/dt率
175℃工作溫度
快速轉換速率
無(wú)鉛環(huán)保
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