逆變器 MOS管 KIA13N50 13A/500V規格書(shū)-原廠(chǎng)直銷(xiāo) 免費送樣-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2018-12-15
KIA13N50 N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專(zhuān)為高電壓,高速功率開(kāi)關(guān)應用,如高效率開(kāi)關(guān)電源,基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正電子鎮流器。
產(chǎn)品編號:KIA13N50
漏極至源極電壓(VDSS):500V
柵源電壓(VGSS):±30V
漏極電流 (連續)(lD):13A
耗散功率(PD):195W
工作溫度:±150℃
擊穿電壓溫度:0.5/℃
輸入電容:VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz
上升時(shí)間:VDD=250V,ID=13A,RG=25Ω
RDS(ON)= 0.4Ω@ V GS = 10v
低柵極電荷(典型的45nc)
快速切換的能力
雪崩能量
改進(jìn)的dt/dt能力
主要適用于高電壓,高速功率開(kāi)關(guān)應用,如高效率開(kāi)關(guān)電源,基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正電子鎮流器。
以下為KIA13N50產(chǎn)品PDF格式的產(chǎn)品詳細資料,查看詳情請點(diǎn)擊下圖。
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